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71T75802S200BGGI

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Numéro d'article 71T75802S200BGGI
LIXINC Part # 71T75802S200BGGI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 71T75802S200BGGI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

71T75802S200BGGI Caractéristiques

Numéro d'article:71T75802S200BGGI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
taille mémoire:18Mb (1M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.2 ns
tension - alimentation:2.375V ~ 2.625V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:119-PBGA (14x22)

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