W949D2DBJX5E | Winbond Electronics Corporation W949D2DBJX5E

W949D2DBJX5E

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Numéro d'article	W949D2DBJX5E
LIXINC Part #	W949D2DBJX5E
Fabricant	Winbond Electronics Corporation
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	W949D2DBJX5E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

W949D2DBJX5E Caractéristiques

Numéro d'article:	W949D2DBJX5E
Marque:	Winbond Electronics Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Winbond Electronics Corporation
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR
taille mémoire:	512Mb (16M x 32)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	5 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	90-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	90-VFBGA (8x13)

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