IS61WV25616EDALL-20BLI-TR | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61WV25616EDALL-20BLI-TR | IS61WV25616EDALL-20BLI-TR Inventory, Best Pricing

IS61WV25616EDALL-20BLI-TR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
LIXINC Part #	IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS61WV25616EDALL-20BLI-TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IS61WV25616EDALL-20BLI-TR Caractéristiques

Numéro d'article:	IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	4Mb (256K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	20ns
temps d'accès:	20 ns
tension - alimentation:	1.65V ~ 2.2V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-TFBGA (6x8)