MT58L256L18P1T-7.5

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Numéro d'article MT58L256L18P1T-7.5
LIXINC Part # MT58L256L18P1T-7.5
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT58L256L18P1T-7.5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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MT58L256L18P1T-7.5 Caractéristiques

Numéro d'article:MT58L256L18P1T-7.5
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:SYNCBURST™
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM
taille mémoire:4Mb (256K x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:4 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:100-TQFP (14x20.1)

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