71016S12YG

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Numéro d'article	71016S12YG
LIXINC Part #	71016S12YG
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71016S12YG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71016S12YG Caractéristiques

Numéro d'article:	71016S12YG
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	1Mb (64K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	12ns
temps d'accès:	12 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	44-SOJ

71016S12YG Documents

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