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CY7C1321KV18-250BZC

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Numéro d'article CY7C1321KV18-250BZC
LIXINC Part # CY7C1321KV18-250BZC
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C1321KV18-250BZC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1321KV18-250BZC Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C1321KV18-250BZC
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, DDR II
taille mémoire:18Mb (512K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:250 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (13x15)

CY7C1321KV18-250BZC Documents

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