MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

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Numéro d'article MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
LIXINC Part # MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29E1T08CMHBBJ4-3:B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29E1T08CMHBBJ4-3:B Caractéristiques

Numéro d'article:MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Not For New Designs
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:1Tb (128G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.5V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:132-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:132-VBGA (12x18)

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