IS42VM32160D-6BLI-TR

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Numéro d'article IS42VM32160D-6BLI-TR
LIXINC Part # IS42VM32160D-6BLI-TR
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS42VM32160D-6BLI-TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 30 - Jul 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS42VM32160D-6BLI-TR Caractéristiques

Numéro d'article:IS42VM32160D-6BLI-TR
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile
taille mémoire:512Mb (16M x 32)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:5.4 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:90-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:90-TFBGA (8x13)

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