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RMLV0816BGSB-4S2#HA0

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Numéro d'article	RMLV0816BGSB-4S2#HA0
LIXINC Part #	RMLV0816BGSB-4S2#HA0
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Caractéristiques

Numéro d'article:	RMLV0816BGSB-4S2#HA0
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM
taille mémoire:	8Mb (512K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	45ns
temps d'accès:	45 ns
tension - alimentation:	2.4V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	44-TSOP II