6116LA25DB

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Numéro d'article	6116LA25DB
LIXINC Part #	6116LA25DB
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	6116LA25DB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 09 - Sep 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

6116LA25DB Caractéristiques

Numéro d'article:	6116LA25DB
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	16Kb (2K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	25ns
temps d'accès:	25 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	24-CDIP (0.600", 15.24mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	24-CDIP

6116LA25DB Documents

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