HYB25D512800CE-6 | HYB25D512800CE-6 | HYB25D512800CE-6 Inventory, Best Pricing

HYB25D512800CE-6

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Numéro d'article	HYB25D512800CE-6
LIXINC Part #	HYB25D512800CE-6
Fabricant
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HYB25D512800CE-6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HYB25D512800CE-6 Caractéristiques

Numéro d'article:	HYB25D512800CE-6
Marque:
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	66-TSOP II