AS4C32M16D1-5BIN

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Numéro d'article	AS4C32M16D1-5BIN
LIXINC Part #	AS4C32M16D1-5BIN
Fabricant	Alliance Memory, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AS4C32M16D1-5BIN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 09 - Sep 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AS4C32M16D1-5BIN Caractéristiques

Numéro d'article:	AS4C32M16D1-5BIN
Marque:	Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Alliance Memory, Inc.
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR
taille mémoire:	512Mb (32M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	700 ps
tension - alimentation:	2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-TFBGA (8x13)

AS4C32M16D1-5BIN Documents

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