IS61NLP51218A-200TQLI

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Numéro d'article IS61NLP51218A-200TQLI
LIXINC Part # IS61NLP51218A-200TQLI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61NLP51218A-200TQLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61NLP51218A-200TQLI Caractéristiques

Numéro d'article:IS61NLP51218A-200TQLI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:9Mb (512K x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.1 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:100-TQFP (14x20)

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