IS43R86400E-6BLI-TR

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Numéro d'article IS43R86400E-6BLI-TR
LIXINC Part # IS43R86400E-6BLI-TR
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS43R86400E-6BLI-TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43R86400E-6BLI-TR Caractéristiques

Numéro d'article:IS43R86400E-6BLI-TR
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:700 ps
tension - alimentation:2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:60-TFBGA (8x13)

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