IS61WV12816DBLL-10BLI

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Numéro d'article IS61WV12816DBLL-10BLI
LIXINC Part # IS61WV12816DBLL-10BLI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61WV12816DBLL-10BLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61WV12816DBLL-10BLI Caractéristiques

Numéro d'article:IS61WV12816DBLL-10BLI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:2Mb (128K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:48-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:48-miniBGA (6x8)

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