GD25D10CEIGR

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Numéro d'article GD25D10CEIGR
LIXINC Part # GD25D10CEIGR
Fabricant GigaDevice
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO GD25D10CEIGR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

GD25D10CEIGR Caractéristiques

Numéro d'article:GD25D10CEIGR
Marque:GigaDevice
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:GigaDevice
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:1Mb (128K x 8)
interface mémoire:SPI - Dual I/O
fréquence d'horloge:100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:50µs, 4ms
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-XFDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:8-USON (2x3)

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