UPD44325364BF5-E40-FQ1

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Numéro d'article UPD44325364BF5-E40-FQ1
LIXINC Part # UPD44325364BF5-E40-FQ1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO UPD44325364BF5-E40-FQ1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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UPD44325364BF5-E40-FQ1 Caractéristiques

Numéro d'article:UPD44325364BF5-E40-FQ1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
taille mémoire:36Mb (1M x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:250 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:4ns
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-FBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (15x17)

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