IS46R86400D-6TLA1

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Numéro d'article IS46R86400D-6TLA1
LIXINC Part # IS46R86400D-6TLA1
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS46R86400D-6TLA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS46R86400D-6TLA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IS46R86400D-6TLA1
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Not For New Designs
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:700 ps
tension - alimentation:2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:66-TSOP II

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