MT29F1G08ABAEAH4:E TR | Micron Technology MT29F1G08ABAEAH4:E TR | MT29F1G08ABAEAH4:E TR Inventory, Best Pricing

MT29F1G08ABAEAH4:E TR

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Numéro d'article	MT29F1G08ABAEAH4:E TR
LIXINC Part #	MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT29F1G08ABAEAH4:E TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT29F1G08ABAEAH4:E TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
taille mémoire:	1Gb (128M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	63-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	63-VFBGA (9x11)