CY7C10612G30-10ZSXI

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Numéro d'article CY7C10612G30-10ZSXI
LIXINC Part # CY7C10612G30-10ZSXI
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C10612G30-10ZSXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C10612G30-10ZSXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C10612G30-10ZSXI
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:16Mb (1M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:54-TSOP II

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