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71V416S10YG

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Numéro d'article 71V416S10YG
LIXINC Part # 71V416S10YG
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 71V416S10YG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

71V416S10YG Caractéristiques

Numéro d'article:71V416S10YG
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:4Mb (256K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:44-SOJ

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