MT54V512H18EF-10 | Rochester Electronics MT54V512H18EF-10 | MT54V512H18EF-10 Inventory, Best Pricing

MT54V512H18EF-10

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Numéro d'article	MT54V512H18EF-10
LIXINC Part #	MT54V512H18EF-10
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT54V512H18EF-10 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT54V512H18EF-10 Caractéristiques

Numéro d'article:	MT54V512H18EF-10
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	QDR™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Quad Port, Synchronous
taille mémoire:	9Mb (512K x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.4V ~ 2.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	165-FBGA (13x15)