S70KL1281DABHI023 | Cypress Semiconductor S70KL1281DABHI023 | S70KL1281DABHI023 Inventory, Best Pricing

S70KL1281DABHI023

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Numéro d'article	S70KL1281DABHI023
LIXINC Part #	S70KL1281DABHI023
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC PSRAM 128MBIT PARALLEL 24FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	S70KL1281DABHI023 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

S70KL1281DABHI023 Caractéristiques

Numéro d'article:	S70KL1281DABHI023
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	HyperRAM™ KL
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	PSRAM
technologie:	PSRAM (Pseudo SRAM)
taille mémoire:	128Mb (16M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	40 ns
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	24-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	24-FBGA (6x8)