IS61NLP102418B-200B3LI

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Numéro d'article IS61NLP102418B-200B3LI
LIXINC Part # IS61NLP102418B-200B3LI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61NLP102418B-200B3LI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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IS61NLP102418B-200B3LI Caractéristiques

Numéro d'article:IS61NLP102418B-200B3LI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:18Mb (1M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-TFBGA (13x15)

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