MT54V512H18E1F-5

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Numéro d'article MT54V512H18E1F-5
LIXINC Part # MT54V512H18E1F-5
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description QDR SRAM, 512KX18, CMOS,
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT54V512H18E1F-5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT54V512H18E1F-5 Caractéristiques

Numéro d'article:MT54V512H18E1F-5
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:-
formatage de la mémoire:-
technologie:-
taille mémoire:-
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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