71V3556SA100BQI8 | Renesas Electronics America 71V3556SA100BQI8 | 71V3556SA100BQI8 Inventory, Best Pricing

71V3556SA100BQI8

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Numéro d'article	71V3556SA100BQI8
LIXINC Part #	71V3556SA100BQI8
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71V3556SA100BQI8 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71V3556SA100BQI8 Caractéristiques

Numéro d'article:	71V3556SA100BQI8
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
taille mémoire:	4.5Mb (128K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	5 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	165-CABGA (13x15)