MT57W512H36BF-7.5

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Numéro d'article MT57W512H36BF-7.5
LIXINC Part # MT57W512H36BF-7.5
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT57W512H36BF-7.5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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MT57W512H36BF-7.5 Caractéristiques

Numéro d'article:MT57W512H36BF-7.5
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - DDR2
taille mémoire:18Mb (512K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:7.5 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (13x15)

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