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GD25S512MDYIGR

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Numéro d'article	GD25S512MDYIGR
LIXINC Part #	GD25S512MDYIGR
Fabricant	GigaDevice
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	GD25S512MDYIGR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

GD25S512MDYIGR Caractéristiques

Numéro d'article:	GD25S512MDYIGR
Marque:	GigaDevice
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	GigaDevice
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NOR
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	SPI - Quad I/O
fréquence d'horloge:	104 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	50µs, 2.4ms
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-WDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-WSON (6x8)