IS61NVP51236B-200TQLI-TR

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Numéro d'article IS61NVP51236B-200TQLI-TR
LIXINC Part # IS61NVP51236B-200TQLI-TR
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61NVP51236B-200TQLI-TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IS61NVP51236B-200TQLI-TR Caractéristiques

Numéro d'article:IS61NVP51236B-200TQLI-TR
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:18Mb (512K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3 ns
tension - alimentation:2.375V ~ 2.625V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:100-LQFP (14x20)

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