CY7C1089DV33-12BAXI | Rochester Electronics CY7C1089DV33-12BAXI | CY7C1089DV33-12BAXI Inventory, Best Pricing

CY7C1089DV33-12BAXI

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	CY7C1089DV33-12BAXI
LIXINC Part #	CY7C1089DV33-12BAXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	STANDARD SRAM, 8MX8, 12NS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7C1089DV33-12BAXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY7C1089DV33-12BAXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7C1089DV33-12BAXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	64Mb (8M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	12ns
temps d'accès:	12 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-LFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-FBGA (8x9.5)