CYD09S18V18-200BBXC | Rochester Electronics CYD09S18V18-200BBXC | CYD09S18V18-200BBXC Inventory, Best Pricing

CYD09S18V18-200BBXC

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Numéro d'article	CYD09S18V18-200BBXC
LIXINC Part #	CYD09S18V18-200BBXC
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CYD09S18V18-200BBXC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CYD09S18V18-200BBXC Caractéristiques

Numéro d'article:	CYD09S18V18-200BBXC
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Dual Port, Synchronous
taille mémoire:	9Mb (512K x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	3.3 ns
tension - alimentation:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	256-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	256-FBGA (17x17)