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S26KL512SDABHI030

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Numéro d'article S26KL512SDABHI030
LIXINC Part # S26KL512SDABHI030
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S26KL512SDABHI030 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S26KL512SDABHI030 Caractéristiques

Numéro d'article:S26KL512SDABHI030
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:HyperFlash™ KL
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:96 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:24-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:24-FBGA (6x8)

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