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W947D2HBJX6E

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Numéro d'article W947D2HBJX6E
LIXINC Part # W947D2HBJX6E
Fabricant Winbond Electronics Corporation
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO W947D2HBJX6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

W947D2HBJX6E Caractéristiques

Numéro d'article:W947D2HBJX6E
Marque:Winbond Electronics Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Winbond Electronics Corporation
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
taille mémoire:128Mb (4M x 32)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:5 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:90-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:90-VFBGA (8x13)

W947D2HBJX6E Documents

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