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71V016SA20YI

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Numéro d'article	71V016SA20YI
LIXINC Part #	71V016SA20YI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71V016SA20YI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 09 - Sep 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71V016SA20YI Caractéristiques

Numéro d'article:	71V016SA20YI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	1Mb (64K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	20ns
temps d'accès:	20 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	44-SOJ