CY14B512J2-SXI

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Numéro d'article	CY14B512J2-SXI
LIXINC Part #	CY14B512J2-SXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 512KBIT I2C 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY14B512J2-SXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY14B512J2-SXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY14B512J2-SXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	512Kb (64K x 8)
interface mémoire:	I²C
fréquence d'horloge:	3.4 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC

CY14B512J2-SXI Documents

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