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AS4C4M32S-6BIN

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Numéro d'article AS4C4M32S-6BIN
LIXINC Part # AS4C4M32S-6BIN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AS4C4M32S-6BIN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS4C4M32S-6BIN Caractéristiques

Numéro d'article:AS4C4M32S-6BIN
Marque:Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Alliance Memory, Inc.
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM
taille mémoire:128Mb (4M x 32)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:2ns
temps d'accès:5.4 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:90-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:90-TFBGA (8x13)

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