NV24C08MUW3VLTBG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV24C08MUW3VLTBG

NV24C08MUW3VLTBG

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Numéro d'article	NV24C08MUW3VLTBG
LIXINC Part #	NV24C08MUW3VLTBG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NV24C08MUW3VLTBG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NV24C08MUW3VLTBG Caractéristiques

Numéro d'article:	NV24C08MUW3VLTBG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q100
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	EEPROM
taille mémoire:	8Kb (1K x 8)
interface mémoire:	I²C
fréquence d'horloge:	1 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	4ms
temps d'accès:	450 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-UFDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-UDFN (2x3)