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71V256SA10YG

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Numéro d'article 71V256SA10YG
LIXINC Part # 71V256SA10YG
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 71V256SA10YG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

71V256SA10YG Caractéristiques

Numéro d'article:71V256SA10YG
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:256Kb (32K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:28-SOJ

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