NV93C46BMUW3VTBG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV93C46BMUW3VTBG

NV93C46BMUW3VTBG

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Numéro d'article	NV93C46BMUW3VTBG
LIXINC Part #	NV93C46BMUW3VTBG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8UDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NV93C46BMUW3VTBG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NV93C46BMUW3VTBG Caractéristiques

Numéro d'article:	NV93C46BMUW3VTBG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q100
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	EEPROM
taille mémoire:	1Kb (128 x 8, 64 x 16)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	2 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-UFDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-UDFN (2x3)