CYDM128B16-55BVXI | Rochester Electronics CYDM128B16-55BVXI | CYDM128B16-55BVXI Inventory, Best Pricing

CYDM128B16-55BVXI

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Numéro d'article	CYDM128B16-55BVXI
LIXINC Part #	CYDM128B16-55BVXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CYDM128B16-55BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CYDM128B16-55BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CYDM128B16-55BVXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Dual Port, MoBL
taille mémoire:	128Kb (8K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	55ns
temps d'accès:	55 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	100-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	100-VFBGA (6x6)