BR25G640FVT-3GE2

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Numéro d'article	BR25G640FVT-3GE2
LIXINC Part #	BR25G640FVT-3GE2
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOPB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BR25G640FVT-3GE2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BR25G640FVT-3GE2 Caractéristiques

Numéro d'article:	BR25G640FVT-3GE2
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	EEPROM
taille mémoire:	64Kb (8K x 8)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	20 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	5ms
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.6V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-TSSOP-B

BR25G640FVT-3GE2 Documents

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