MT57V1MH18AF-6

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Numéro d'article MT57V1MH18AF-6
LIXINC Part # MT57V1MH18AF-6
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT57V1MH18AF-6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT57V1MH18AF-6 Caractéristiques

Numéro d'article:MT57V1MH18AF-6
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:-
formatage de la mémoire:-
technologie:-
taille mémoire:-
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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