CY7C1019BV33-12VI | Rochester Electronics CY7C1019BV33-12VI | CY7C1019BV33-12VI Inventory, Best Pricing

CY7C1019BV33-12VI

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	CY7C1019BV33-12VI
LIXINC Part #	CY7C1019BV33-12VI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	128K X 8 STATIC RAM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7C1019BV33-12VI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY7C1019BV33-12VI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7C1019BV33-12VI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	1Mb (128K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	12ns
temps d'accès:	12 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	32-SOJ