IS43DR86400E-25DBLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR86400E-25DBLI | IS43DR86400E-25DBLI Inventory, Best Pricing

IS43DR86400E-25DBLI

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IS43DR86400E-25DBLI
LIXINC Part #	IS43DR86400E-25DBLI
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS43DR86400E-25DBLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IS43DR86400E-25DBLI Caractéristiques

Numéro d'article:	IS43DR86400E-25DBLI
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	400 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-TWBGA (8x10.5)

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015