IS25LQ010B-JNLE-TR

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Numéro d'article IS25LQ010B-JNLE-TR
LIXINC Part # IS25LQ010B-JNLE-TR
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS25LQ010B-JNLE-TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS25LQ010B-JNLE-TR Caractéristiques

Numéro d'article:IS25LQ010B-JNLE-TR
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:1Mb (128K x 8)
interface mémoire:SPI - Quad I/O
fréquence d'horloge:104 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:800µs
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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