CY62147GE30-45BVXIT | Cypress Semiconductor CY62147GE30-45BVXIT | CY62147GE30-45BVXIT Inventory, Best Pricing

CY62147GE30-45BVXIT

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Numéro d'article	CY62147GE30-45BVXIT
LIXINC Part #	CY62147GE30-45BVXIT
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY62147GE30-45BVXIT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY62147GE30-45BVXIT Caractéristiques

Numéro d'article:	CY62147GE30-45BVXIT
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	MoBL®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	4Mb (256K x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	45ns
temps d'accès:	45 ns
tension - alimentation:	2.2V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-VFBGA (6x8)