R1LP0408DSB-5SI#S1

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Numéro d'article R1LP0408DSB-5SI#S1
LIXINC Part # R1LP0408DSB-5SI#S1
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R1LP0408DSB-5SI#S1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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R1LP0408DSB-5SI#S1 Caractéristiques

Numéro d'article:R1LP0408DSB-5SI#S1
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM
taille mémoire:4Mb (512K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:55ns
temps d'accès:55 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:32-TSOP II

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