CY7C1512KV18-200BZXI | Rochester Electronics CY7C1512KV18-200BZXI | CY7C1512KV18-200BZXI Inventory, Best Pricing

CY7C1512KV18-200BZXI

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Numéro d'article	CY7C1512KV18-200BZXI
LIXINC Part #	CY7C1512KV18-200BZXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	QDR SRAM, 4MX18, 0.45NS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7C1512KV18-200BZXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

CY7C1512KV18-200BZXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7C1512KV18-200BZXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, QDR II
taille mémoire:	72Mb (4M x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	165-FBGA (13x15)