71V25761S183PFGI8 | Renesas Electronics America 71V25761S183PFGI8 | 71V25761S183PFGI8 Inventory, Best Pricing

71V25761S183PFGI8

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	71V25761S183PFGI8
LIXINC Part #	71V25761S183PFGI8
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71V25761S183PFGI8 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71V25761S183PFGI8 Caractéristiques

Numéro d'article:	71V25761S183PFGI8
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:	4.5Mb (128K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	183 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	3.3 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:	100-TQFP