BQ4010MA-85

BQ4010MA-85
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Numéro d'article BQ4010MA-85
LIXINC Part # BQ4010MA-85
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BQ4010MA-85 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BQ4010MA-85 Caractéristiques

Numéro d'article:BQ4010MA-85
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:64Kb (8K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:85ns
temps d'accès:85 ns
tension - alimentation:4.75V ~ 5.5V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
paquet de dispositif de fournisseur:28-DIP Module (18.42x37.72)

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